IRFB4227 | MOSFET Canal N TO-220 200V 65A Electrónica de Potencia

El IRFB4227 es un transistor MOSFET de canal N en encapsulado TO-220 con una tensión máxima de 200V y una corriente de drenaje de 65A. Tecnología HEXFET® de International Rectifier, ideal para aplicaciones de alta eficiencia en conmutación de potencia, inversores y control de motores.

Características

• Tipo: MOSFET canal N
• Encapsulado: TO-220
• Tensión máx. drenaje-fuente (VDS): 200V
• Corriente máx. de drenaje (ID): 65A
• Baja RDS(on) — alta eficiencia en conmutación
• Tecnología HEXFET® de International Rectifier

Aplicaciones

• Conmutación de potencia de alta eficiencia
• Inversores y convertidores DC-DC
• Control de motores DC y brushless
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
• Amplificadores de audio clase D
• Sistemas de energía renovable

Especificaciones

• Referencia: IRFB4227
• Tipo: MOSFET canal N
• Encapsulado: TO-220
• VDS máx.: 200V
• ID máx.: 65A
• SKU: IRFB4227